日本京都2026年1月22日 /美通社/ -- Nuvoton Technology Corporation Japan（以下簡(jiǎn)稱(chēng)「NTCJ」）於1月20日宣佈，開(kāi)始量產(chǎn)其高功率紫外光半導(dǎo)體雷射二極體(379 nm, 1.0 W)。該產(chǎn)品採(cǎi)用直徑9.0 mm的CAN封裝(TO-9)，可實(shí)現(xiàn)行業(yè)領(lǐng)先(*)的光功率輸出。透過(guò)NTCJ專(zhuān)有的器件結(jié)構(gòu)和先進(jìn)的高散熱封裝技術(shù)，該產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)了短波長(zhǎng)、高功率和長(zhǎng)壽命這三個(gè)先前被認(rèn)為難以達(dá)成的紫外半導(dǎo)體雷射元素，有助於提升先進(jìn)半導(dǎo)體封裝無(wú)掩模光刻的圖形化精密度和生產(chǎn)效率。

（*）截至2026年1月16日，基於NTCJ對(duì)波長(zhǎng)為379 nm、TO-9 CAN封裝、在25°C殼溫(Tc)下連續(xù)波(CW)運(yùn)行的半導(dǎo)體雷射的研究。

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隨著人工智能(AI)的發(fā)展推動(dòng)信息處理能力需求增長(zhǎng)，對(duì)半導(dǎo)體性能的要求較以往也在不斷提高。另一方面，隨著電晶體微縮化發(fā)展接近其物理和經(jīng)濟(jì)極限，半導(dǎo)體後端封裝技術(shù)和先進(jìn)半導(dǎo)體封裝技術(shù)（通過(guò)並排排列或垂直堆疊多個(gè)半導(dǎo)體晶片的集成方案）正引起關(guān)注。

這些封裝技術(shù)的演進(jìn)，離不開(kāi)無(wú)掩膜曝光技術(shù)的支持。作為無(wú)掩模光刻技術(shù)中的關(guān)鍵光源之一，半導(dǎo)體雷射面臨著向更短波長(zhǎng)（接近i線365 nm）和更高輸出功率發(fā)展的不斷增長(zhǎng)的需求，以實(shí)現(xiàn)更精細(xì)的線路和提高設(shè)備產(chǎn)能。為滿足這些要求，NTCJ憑藉40多年的雷射設(shè)計(jì)和製造經(jīng)驗(yàn)，開(kāi)發(fā)並商業(yè)化了波長(zhǎng)為379 nm、輸出功率達(dá)1.0 W的紫外光半導(dǎo)體雷射。

紫外光半導(dǎo)體雷射通常存在由於低光電轉(zhuǎn)換效率(WPE)引起的顯著熱量產(chǎn)生問(wèn)題，以及由紫外光引起的器件退化傾向，這使得在1.0 W以上的高輸出水準(zhǔn)下實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定運(yùn)行變得困難。為解決這一問(wèn)題，NTCJ採(cǎi)取了雙管齊下的方法，同時(shí)專(zhuān)注於「提高WPE的器件結(jié)構(gòu)」和「有效散熱的高熱傳導(dǎo)封裝技術(shù)」，成功開(kāi)發(fā)出一款兼具短波長(zhǎng)、高功率和長(zhǎng)壽命的產(chǎn)品：1.0 W紫外線(379 nm)器件。這有助於延長(zhǎng)紫外光光學(xué)器件的壽命。

該產(chǎn)品作為NTCJ的「基於半導(dǎo)體雷射的汞燈替代產(chǎn)品」系列的新成員，為客戶提供了新的選擇。

NTCJ將在美國(guó)三藩市舉行的SPIE Photonics West 2026展會(huì)以及日本橫濱舉辦的OPIE'26展會(huì)的展臺(tái)上展示這款新產(chǎn)品的詳細(xì)資訊。NTCJ誠(chéng)摯期待您的蒞臨。

產(chǎn)品詳情，請(qǐng)瀏覽：https://nuvoton.co.jp/semi-spt/apl/rd/?id=1100-0172

關(guān)於Nuvoton Technology Corporation Japan：https://www.nuvoton.co.jp/en/

SPIE Photonics West 2026新唐展位網(wǎng)頁(yè)：https://spie.org/ExhibitorDetail?ExpoID=5022&ExhibitorID=105454

OPIE（國(guó)際光學(xué)與光電技術(shù)展覽會(huì)）：https://www.opie.jp/en/