第二子代MRCD和MDB最高支持12800MT/s速率，較第一子代產(chǎn)品提升45%

上海2025年1月24日 /美通社/ -- 瀾起科技今日宣布，其最新研發(fā)的第二子代多路復(fù)用寄存時(shí)鍾驅(qū)動(dòng)器(MRCD)和第二子代多路復(fù)用數(shù)據(jù)緩沖器(MDB)套片已成功向全球主要內(nèi)存廠商送樣。該套片專為DDR5多路復(fù)用雙列直插內(nèi)存模組(MRDIMM)而設(shè)計(jì)，最高支持12800 MT/s傳輸速率，旨在為下一代計(jì)算平臺提供卓越的內(nèi)存性能，滿足高性能計(jì)算和人工智能等應(yīng)用場景對內(nèi)存帶寬的迫切需求。

隨著人工智能和大數(shù)據(jù)分析等應(yīng)用快速發(fā)展，處理器內(nèi)核數(shù)量日益增多，對內(nèi)存帶寬的需求急劇增長。為應(yīng)對這一挑戰(zhàn)，一種高帶寬新型內(nèi)存模組MRDIMM應(yīng)運(yùn)而生。瀾起科技創(chuàng)新研發(fā)的MRCD和MDB，是應(yīng)用於MRDIMM內(nèi)存模組的關(guān)鍵接口芯片，支持「1+10」內(nèi)存緩沖架構(gòu)，即一根MRDIMM模組配備一顆MRCD芯片和十顆MDB芯片。

MRCD芯片負(fù)責(zé)緩沖和中繼來自內(nèi)存控制器的地址、命令、時(shí)鍾和控制信號，MDB芯片則負(fù)責(zé)緩沖和中繼來自內(nèi)存控制器或DRAM內(nèi)存顆粒的數(shù)據(jù)信號。通過采用MRCD和MDB套片，並結(jié)合雙倍數(shù)據(jù)傳輸和時(shí)分復(fù)用技術(shù)，MRDIMM能在標(biāo)準(zhǔn)速率下同時(shí)跨兩個(gè)陣列進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸，從而實(shí)現(xiàn)雙倍的數(shù)據(jù)傳輸速率。

作為全球內(nèi)存接口芯片行業(yè)的領(lǐng)跑者，瀾起科技量產(chǎn)的第一子代MRCD和MDB套片(支持?jǐn)?shù)據(jù)速率8800 MT/s)，近期已獲全球主要內(nèi)存廠商規(guī)模采購。此次公司推出的第二子代MRCD和MDB工程樣片，最高支持12800 MT/s的數(shù)據(jù)速率，相較第一子代產(chǎn)品提升約45%。

瀾起科技總裁Stephen Tai先生表示：「隨著人工智能和其他嚴(yán)苛工作負(fù)載對內(nèi)存性能的要求日益提升，數(shù)據(jù)中心內(nèi)存不斷向更大容量和更高帶寬方向發(fā)展。瀾起科技憑借深厚的技術(shù)積累和前瞻性布局，成功量產(chǎn)DDR5第一子代MRCD和MDB套片，並迅速迭代推出第二子代MRCD和MDB。這不僅為DDR5內(nèi)存技術(shù)的未來發(fā)展注入了新的動(dòng)能，也再次鞏固了我們在全球內(nèi)存接口領(lǐng)域的領(lǐng)先地位?！?/p>

除了MRCD、MDB芯片以外，瀾起科技還提供包括RCD 、DB、CKD、SPD Hub、PMIC、TS在內(nèi)的全方位內(nèi)存接口與模組配套芯片解決方案。其中，公司推出的DDR5第五子代RCD芯片，已於2024年第四季度送樣。瀾起科技致力於提供一站式內(nèi)存接口產(chǎn)品和技術(shù)支持，全面滿足客戶多樣化的應(yīng)用需求。如需了解更多瀾起科技內(nèi)存接口產(chǎn)品詳情，請?jiān)L問https://www.montage-tech.com/cn/Memory_Interface。